據海外網報道，韓國產業技術大學某科研團隊日前對外宣稱，已通過制備氧化物半導體納米褶皺網狀結構，成功研發出一種高效LED技術。而與此項技術相關聯的論文也被該領域具有世界權威的應用物理及新材料領域學術期刊《Advanced Materials Interfaces》選定為封面，并于今年2月3日刊發。

據了解，現有技術為了增強LED元件的電流擴展，通過氧化銦錫ITO）提高發光效率。但是由于目前作為透明電極正在使用的ITO材料氧化銦錫屬高價稀有金屬，所以往往采用氧化鋅系半導體材料作為替代物。對此，該研究團隊利用溶膠-凝膠法（Sol-Gel），在LED的硅晶片上制備氧化鋅系半導體薄膜，并通過嚴格的熱處理工藝，使其自動生成納米褶皺網狀結構的透明電極可更好地適用于LED。并開發出同時提升電流擴展效應和光提取效率等關聯技術。特別是在沒有追加蒸鍍和蝕刻工藝的條件下，通過溶膠-凝膠法（Sol-Gel）中包含的熱處理工藝，最終形成了可以顯著優化LED元件光提取效率的納米褶皺網狀結構。隨著帶來的不僅僅是納米褶皺網狀結構光提取效率的最大化，并可以確定能夠同時起到LED元件透明電極的兩種作用。利用納米褶皺網狀結構，還可以有效控制LED發光角度。

該研究團隊相關負責人表示，本次研究成果可以用低成本的溶液工藝溶膠-凝膠法（Sol-Gel），替代透明電極。這樣一來，新一代高提取效率的LED光源及適用于micro LED顯示屏的光源，就變得指日可待。